准备就绪，开始实验。
许秋取来旋涂好两层传输层的基片，首先开始旋涂不同厚度的J4:IDIC-M，作为底电池有效层。
在旋涂的过程中，并不能全程64倍加速。
比如夹取基片等过程，必须要按正常速度或者低倍加速。
不过，在基片旋转的时候，还是可以加速的。
换算下来，平常旋涂一片需要用时2分钟，现在64倍速下，大概需要用10-15秒钟。
16片涂完，一共消耗了5分钟不到的现实时间。
接下来，许秋继续旋涂M-PEDOT，作为第三层传输层，旋涂氧化锌，作为第四层传输层。
这两层旋涂过后需要擦片、退火。
退火虽然需要十分钟到十五分钟，但因为可以把所有基片放在一起退火，所以在64倍加速下，实际耗时可以忽略不计。
两步旋涂，加上擦片、退火，合计时间每片基片大约30秒左右，共计消耗10分钟不到。
许秋继续旋涂顶电池的有效层，PCE10:PCBM:COi8DFIC。
这步耗时和底电池有效层旋涂类似，同样是5分钟不到。
最后一步，是蒸镀三氧化钼和银电极。
在蒸镀之前，许秋突然灵机一动，他把旋涂出来的16片基片，各自复制成10份，准备同时蒸镀10次，这样就可以得到10批器件。
虽然这10批器件的有效层都是完全一样的，但是因为蒸镀操作有差异，可以以此近似的排除蒸镀操作对器件性能的影响。
包括之后的真空放置操作，许秋也准备同时复制出来多个器件，然后摸索不同放置时间对器件性能的影响。
这样，他虽然只做了一批器件，但是实际上已经把包括蒸镀、真空放置的重复性实验都同时完成了，有更大的概率可以让自己的器件效率波动的更高。
这算是作为人的优势，如果是模拟实验室的模拟人员进行操作，是玩不出许秋这样套路的，它们只会按部就班的一批一批器件进行制备。
就是不知道现在许秋把这个方法开发了出来，他们会不会同步的学会，这一点还有待观察。
接下来，许秋蒸镀了10批器件，并真空放置，在64倍加速下，加起来一共不到30分钟时间。
10批器件全部制备完毕，共计耗时45分钟左右。
看似初始条件下许秋只做了16片器件，但经过两次复制，总的器件数量已经膨胀到了1000多片。
终于到了激动人心的测试环节了。
因为有加速，所以测试还是比较快的。
基本上连线完成，就可以秒出结果。
差不多平均15秒能测试得到一个结果。
许秋选取了自己蒸镀时手感最好的那批器件，统一选择真空放置时间条件为12小时。
开舱，进行测试。
许秋的策略是，把初次测试效率低于16.5%的器件直接舍弃。
如果初次能达到16.5%，那么就给它三次扫描机会，如果性能达不到17%，就直接舍弃。
就这样，许秋接连测试了1#到12#，共计12片器件。
其中，最好的一个体系是7#，最高效率达到了16.96%，离17%非常近了。
当时许秋额外破例，给了它更多的几次机会，结果，越测越低，最后他只好放弃。
直到第13#器件，许秋终于第一次拿到了初始效率超过17%的数据，达到了17.07%。
他更换了遮挡板的位置，连续扫描了十个数据，最高效率为17.11%。
许秋想了想，先把14#、15#、16#测了一遍，发现没有其他初始效率超过17%的器件，然后就开始专攻13#。
13#对应的加工条件，是顶电池厚度约130纳米，底电池厚度约190纳米的条件。
许秋找到了13#器件上百个“兄弟姐妹”们，进行测试。
首先，是不同蒸镀批次，同样12小时真空放置时间下的另外9个13#器件，测试完毕后，最高效率提高至17.27%。
接着，是针对效率17.27%这个最佳批次下的13#器件，在不同放置时间下的器件进行测试，结果表明，放置时间在16小时的器件，性能最佳，可达17.36%。
拿到了最终的17.36%的结果，许秋了长呼一口气。
这一个多小时折腾下来，他基本上没有一刻是能休息的，全程都在专注的进行高强度操作。
许秋有种身体被掏空，进入了“贤者时间”的状态。
好在，结果非常的不错，终于取得了突破。
而且，现在只是初步摸索的结果，之前数据量能做上去的话，器件性能还有进一步提升的空间。
因此，现实中重复出超过17%效率的概率非常的高。
许秋看了眼时间，距离考试结束还有二十分钟左右，便没有急着出去。
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