学妹现在也不害羞了，大大方方的说道：“好呀。”
“你好，还有房间吗，标间也行？”
“先生你好，房间是有的，不过现在只有总统房了，你们要入住吗？”
“多少钱？”
“先生你好，总统房是1188软妹币一晚上。”
“……来一间吧。”
……
……
……
（据说几个省略号就是几次，划掉）
元旦虽说有三天的假期，但对于科研圈是不存在的。
因为课题组里的日程安排是1月1号、2号周六、周日休息，1月3号周一照常上班，1月8号周六下午还要补班，所以相当于没有休。
1月3号，周一早上。
许秋已经拿到了之前交给模拟实验室摸索的两个结果。
首先，是不同体系的器件性能，随蒸镀完成后在蒸镀舱内放置时间的变化趋势。
结果表明，之前最高效率16.22%的三元IDIC-M二元COi8DFIC叠层体系，随着放置时间的延长，器件效率呈现先升后降的趋势。
在放置时间为12小时的时候，器件效率达到峰值，为16.66%。
许秋看到结果时的第一反应：“大概，这就是上帝留给划水实验者们的专属福利？”
事实上，许秋之前没有发现这种“放置变好”的实验优化方法，很大程度上是受到了有机合成实验的影响。
因为在做Stille偶合反应等有机合成实验的时候，许秋发现投反应的速度越快，最终的结果通常就越好，所以他在做器件的时候也直接代入了同样的想法。
这也说明，搞科研这种东西，运气成分真的非常大。
此外，这次“放置变好”的实验现象中，除了放置12小时达到峰值外，其他的结果也很有趣。
许秋发现，当放置时间达到3小时时，最高效率就已经提升到了16.58%。
之后延长放置时间，从6小时、到9小时，再到12小时，效率变化的幅度并不大，就是0.02%、0.03%左右，这样缓慢提升着。
再之后，继续延长放置时间，效率下降的幅度同样不大，也是0.02%、0.03%左右，可以认为是效率在短期内已经趋于了稳定。
同时，“放置变好”这个现象也不是对所有体系都适用的。
许秋一共研究了十七种标准体系，发现其中只有五种体系，存在“放置变好”的实验现象，另外有八种体系是“放置变差”，还有四种体系是“放置不变”。
他试着给“放置变好”、“放置变差”以及“放置不变”的体系分别归了归类，然后发现：
“放置变好”、“放置变差”的体系，大多是有效层旋涂后，没有经过退火的体系，“放置不变”的体系，大多是经过退火处理的体系。
退火这项实验操作，主要影响的是有效层旋涂过后残存的溶剂含量，如果不退火的话，沸点100多摄氏度的氯苯，以及沸点更高，可达200摄氏度以上的溶剂添加剂DIO等肯定会有所残留。
因此，许秋认为“放置变好”、“放置变差”、“放置不变”这些实验现象，背后可以归因于：
在蒸镀舱的真空环境下，器件内残存溶剂挥发对有效层形貌的影响。
对于氯苯、DIO这些溶剂来说，它们在常温常压的条件下不容易挥发。
而在常温低压的条件下，就会逐渐从器件有效层中“跑出来”，扩散到外界的真空氛围中。
溶剂挥发的过程，是需要一定时间的。
正常蒸镀的过程持续时间只有2小时左右，不足以让有效层内部的残留溶剂完全挥发。
现在把这个时间额外延长3小时以上，就可以让溶剂近乎完全挥发。
溶剂挥发的过程中，也将伴随着有效层显微形貌的改变。
如果这个影响是正面的，反应出来的结果就是“放置变好”，反之，就是“放置变差”。
在经过退火操作的器件中，因为有效层内残留的溶剂较少，所以可以认为不存在溶剂挥发这个过程。
因此，额外的放置时间对于经由退火处理的器件性能的影响并不大。
可能长时间放置也会有变化，但在短时间内的表现就是“放置不变”。
当然，这些都是许秋提出的观点，具体对不对，只能通过不断的实验来检验。
不过，他自我感觉这套理论没什么问题，至少现阶段的实验结果，是支持他这些推论的。
许秋决定之后把“真空放置”这个实验操作，与热退火、溶剂退火等并列为一种对加工工艺进行优化的方式。
具体操作起来，可以晚上蒸镀完成，不打开蒸镀舱，让基片在舱里“闷一晚上”，等到第二天白天过来再进行测试。
这样做，就是消耗的时间会久一些。
不过，为了提升器件性能，也是值得付出的成本。
对于模拟实验室中的影响倒是不大，因为里面蒸镀舱的数量足够多，可以循环利用不同的蒸镀舱进行实验。
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